光刻胶去除等离子清洗机报价：诚峰智造

全自动On-Line式AP等离子处理系统CRF-APO-500W-XN

名称（Name）

全自动On-Line式AP等离子处理系统

型号（Model）

CRF-APO-500W-XN

电源（Power supply）

380V/AC,50/60Hz

等离子功率（Plasma power）

10KW（Max）/40KHz（Option）

有效处理宽幅（Processing width）

120mm-1200mm（Option）

有效处理高度（Processing   height）

3mm~8mm（Max）

处理速度（Processing speed）

0-8m/min

工作气体（Gas）

N2/N2+CDA

产品特点： 内置式冷却系统，提高和保证设备的使用寿命和性能；

灵活On-Line安装方式，电子和离子的能量可达10eV以上，

材料批处理的效率可高于低气压辉光放电装置效率10倍以上。

应用范围：应用于FPC＆PCB表面处理，复合型材料，玻璃，ITO等行业领域的表面处理。
光刻胶去除等离子清洗机报价

真空等离子清洗设备依靠等离子体中特定物质的高能微粒流对待清洗物体表面进行冲洗，产生物理冲洗(例如氩气等离子体)或化学反应(氧等离子体)，以达到清除物体表面脏污的功能。当前，等离子体清洗系统都是把反应室内的压力降低，然后以一定的速度引入合适的气体和启动电源，从而得到等离子体。因此，影响真空等离子清洗设备效果差的原因是什么？以下就让我们一起来分析一下：
电极对真空等离子清洗设备清洗效果的影响。
电极的设计直接影响真空等离子清洗设备的清洗效果，主要包括电极的材质、布局及尺寸。对内电极等离子体清洗系统来说，由于电极与等离子体接触，某些材料的电极会被某些等离子体腐蚀或溅射，造成不必要的污染，使电极尺寸发生变化，影响等离子体清洗系统的稳定性。电极的布置对等离子体的清洗速度和均匀性有重要的影响。更小的电极间距可以把等离子体限制在更窄的区域，从而获得更高的密度和更快的清洗速度。随间隔的增大，清洗速率逐渐降低，但均匀性却逐渐提高。等离子系统中电极的尺寸决定了系统的总容量。等离子体清洁系统中，电极平行分布，通常作为托盘使用。更大的电极可一次性清理更多零件，提高设备运转效率。
工作压强对真空等离子清洗设备清洗效果的影响：
工压是真空等离子清洗设备清洗的重要参数。加压意味着等离子体密度增大，粒子能级均值降低。对化学作用为主的等离子体来说，密度的增大可显著提高等离子体系统的清洗速度，而对物理作用为主的等离子体清洗系统效果不明显。另外，压力变化也会导致等离子体清洗反应机制发生变化。如CF4/O2等离子体用于硅片蚀刻工艺，在低压力下起主导作用，而随着压力的增大，化学蚀刻作用逐渐增强，并逐渐占据主导地位。
电源功率和频率对真空等离子清洗设备清洗效果的影响
供电功率会影响等离子体的各种参数，如电极温度、产生的自偏压以及清洗效率等。等离子体清洗速度随输出功率的增大而增大，并逐渐达到峰值，而自偏压则随输出功率的增大而增大。在等离子体自偏置过程中，频率是一个重要参数，功率范围基本不变，随着频率的增加，自偏置作用逐渐减弱。而且，随着频率的增加，电子在等离子体中的密度会逐渐增大，而能级均值会逐渐减小。
工作气体的选择对真空等离子清洗设备清洗效果的影响：
在真空等离子清洗设备的清洗工艺设计中，工艺气体的选择是关键。尽管大部分气体或气体混合物在很多情况下都能去除污染物，但净化的速度却会不同，甚至会有几十倍。举例来说，将不同比例的氟化硫(SF6)作为过程气体添加到氧气(O2)中以清洁有机玻璃。合理地选用工艺气体可大大提高清洗速度。